Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 11 позиций
H5N2517FN |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Renesas Technology
TO-220F LG-formed
Есть в наличии
|
Купить
850 т.
Товар в корзине
|
2SK1070 |
N-Channel (обработка)
N-Channel Junction FET
Renesas Technology
SOT89
Есть в наличии
|
Купить
1400 т.
Товар в корзине
|
H7N1004DS |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
Renesas Technology
DPAK
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
APT15GP60BDF1 |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
Advanced Power Technology
TO-247
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
2N5109 |
NPN
NPN
Advanced Power Technology
TO39
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
RJP6065DPM |
N-Channel IGBT
N-Channel IGBT
Renesas Technology
TO-3PFM.
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
APT60DQ60S |
Диоды ультрабыстрые
ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
Advanced Power Technology
TO247AC
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
2SK1070PIDTL-E |
N-Channel (обработка)
N-Channel Junction FET
Renesas Technology
SOT23
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
APT15D100KG |
Диоды ультрабыстрые
ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
Advanced Power Technology
TO220-2
Есть в наличии
|
Купить
1350 т.
Товар в корзине
|
H5N5001FM |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Renesas Technology
TO–220FM
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
APT11N80KC3 |
N-Channel с диодом
Super Junction MOSFET
800V, 11A, 0,450Ω
Advanced Power Technology
TO-220-3
|
Купить
т.
Товар в корзине
|