Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 10 позиций
H5N2517FN |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Renesas Technology
TO-220F LG-formed
Есть в наличии
|
Купить
850 т.
Товар в корзине
|
2SK1070 |
N-Channel (обработка)
N-Channel Junction FET
Renesas Technology
SOT89
Есть в наличии
|
Купить
1400 т.
Товар в корзине
|
H7N1004DS |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
Renesas Technology
DPAK
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
AF4825P |
Транзисторные сборки
HB
SOIC8
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
HER506 |
Диоды прочие
600V, 5A, 100ns
HB
DO201
Есть в наличии
|
Купить
200 т.
Товар в корзине
|
RJP6065DPM |
N-Channel IGBT
N-Channel IGBT
Renesas Technology
TO-3PFM.
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
BD139 |
NPN
NPN
HB
TO126
Есть в наличии
|
Купить
40 т.
Товар в корзине
|
2SK1070PIDTL-E |
N-Channel (обработка)
N-Channel Junction FET
Renesas Technology
SOT23
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
MBR30100PT |
Диоды Шоттки
Schottky
HB
TO-247
Есть в наличии
|
Купить
500 т.
Товар в корзине
|
H5N5001FM |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Renesas Technology
TO–220FM
|
Купить
т.
Товар в корзине
|