Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 23 позиций 

SW1N60

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
600V, 1,0A, 12Ω
Samwin
DPAK
Есть в наличии
Samwin
Купить
1600 т.
Товар в корзине

SW2604

Микросхемы прочие
Samwin
DIP8-300
Есть в наличии
Samwin
Купить
300 т.
Товар в корзине

SW50N06

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Samwin
TO220AB
Нет в наличии
Samwin
Купить
350 т.
Товар в корзине

SW88R06VT

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
60V, 100A, 10mΩ
Samwin
TO-220-3
Есть в наличии
Samwin
Купить
600 т.
Товар в корзине

SW2658

Микросхемы прочие
Samwin
DIP8-300
Нет в наличии
Samwin
Купить
700 т.
Товар в корзине

SW2658A

Микросхемы прочие
Samwin
DIP8-300
Есть в наличии
Samwin
Купить
700 т.
Товар в корзине

SSW4N60

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Samwin
TO220F
Есть в наличии
Samwin
Купить
250 т.
Товар в корзине

SW2N60

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Samwin
TO220AB
Нет в наличии
Samwin
Купить
0 т.
Товар в корзине

SW2N60

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Samwin
TO220F
Есть в наличии
Samwin
Купить
300 т.
Товар в корзине

CS1N60 B3R

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
600V, 1,5A, 7Ω, 32W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO251
Нет в наличии
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Купить
0 т.
Товар в корзине

CS1N60 A1H

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
600V, 0,8A, 11Ω, 3W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO92
Есть в наличии
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Купить
300 т.
Товар в корзине

BT40T60ANFU

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 40A, 280W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
Есть в наличии
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Купить
1600 т.
Товар в корзине

BT30N60ANF

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 30A, 312W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
Есть в наличии
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Купить
1500 т.
Товар в корзине

BT40T60ANFK

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 40A, 280W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
Есть в наличии
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Купить
1800 т.
Товар в корзине

BT40T60ANFD

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 40A, 280W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
Нет в наличии
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Купить
1600 т.
Товар в корзине

BT40N60BNF

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 40A, 312W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
Нет в наличии
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Купить
1600 т.
Товар в корзине

SW088R06VT

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
60V, 40A, 11mΩ
Samwin
SOP-8
Нет в наличии
Samwin
Купить
500 т.
Товар в корзине

SW088R06VT

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
60V, 40A, 11mΩ
Samwin
TO-252
Нет в наличии
Samwin
Купить
500 т.
Товар в корзине

SW088R06VT

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
60V, 100A, 10mΩ, 195W, 2400pF
Samwin
TO220AB
Есть в наличии
Samwin
Купить
500 т.
Товар в корзине

SW088R06VT ◙

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
60V, 100A, 10mΩ, 195W, 2400pF
Samwin
TO263
Есть в наличии
Samwin
Купить
500 т.
Товар в корзине

CS100N03 B4

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
30V, 100A, 4,0mΩ, 100W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-252
Есть в наличии
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Купить
400 т.
Товар в корзине

SW50N06

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
60V, 50A, 0,023Ω, 130W, 900pF
Samwin
TO220(ST)
Есть в наличии
Samwin
Купить
350 т.
Товар в корзине

SW110N08A

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
80V, 110A, 7,2mΩ, 266,3W, 4588pF
Samwin
TO220
Нет в наличии
Samwin
Товар в корзине