Главная

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 13 позиций 

SPD01N60C3 <01N60C3>

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
650V, 0,8A, 6Ω, 11W, 100pF
Infineon Technologies AG
PG-TO252
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
450 т.
Товар в корзине

IPD042P03L3 G <042P03L>

P-Channel с диодом
P-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG
PG-TO252
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
1000 т.
Товар в корзине

IPD70S900P7S <70S900P7>

N-Channel с диодом
N-Channel с диодом +Zener-protected
700V, 7A, 0,9Ω, 20W, 30,5W, 211pF
Infineon Technologies AG
PG-TO252
Нет в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
750 т.
Товар в корзине

IPD031N03L G <031N03L>

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
30V, 90A, 3,1mΩ, 94W
Infineon Technologies AG
PG-TO252
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
500 т.
Товар в корзине

SPD08P06P G

P-Channel с диодом
P-канальный MOSFET с диодом
-60V, -8,8A, 0,3Ω
Infineon Technologies AG
PG-TO252
Нет в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
450 т.
Товар в корзине

IPD65R380E6 <65E6380>

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
650V, 29A, 0,38Ω
Infineon Technologies AG
PG-TO252
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
1000 т.
Товар в корзине

IPD090N03L <090N03L>

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
30V, 40A, 9mΩ
Infineon Technologies AG
PG-TO252
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
400 т.
Товар в корзине

IPD088N06N3 G <088N06N>

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
60V, 50A, 8,8mΩ, 71W
Infineon Technologies AG
PG-TO252
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
450 т.
Товар в корзине

IPD60R3K3C6 <6R3KC6>

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
650V, 1,7A, 3,3Ω, 4,6nC
Infineon Technologies AG
PG-TO252
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
350 т.
Товар в корзине

IPD50R380CE <50S380CE>

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
550V, 14,1A, 0,38Ω
Infineon Technologies AG
PG-TO252
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
750 т.
Товар в корзине

IPD09N03LA

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
25V, 50A, 8,6mΩ
Infineon Technologies AG
PG-TO252
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
350 т.
Товар в корзине

SPD18P06P G

P-Channel с диодом
P-канальный MOSFET с диодом
-60V, 18,6A, 0,13Ω
Infineon Technologies AG
PG-TO252
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
350 т.
Товар в корзине

IPD06N03LA <060N03L>

N-Channel с диодом
N-Channel с диодом (Logic-Level)
25V, 50A, 5,7mΩ
Infineon Technologies AG
PG-TO252
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
400 т.
Товар в корзине