Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 14 позиций
| Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
|---|---|---|---|---|---|
|
GL1150
|
DIP20-300
|
|
Купить
250 т.
|
||
|
GL3120
|
SDIP30-400
|
|
Купить
450 т.
|
||
|
GS8034-03C
|
SDIP42-600
|
|
Купить
2500 т.
|
||
|
M34300-320SP
|
SDIP42-600
|
|
Купить
2500 т.
|
||
|
GD74LS125A
|
DIP14
|
|
Буферы и линейные аппаратные драйверы. QUADRUPLE BUS BUFFERS WITH 3-STATE OUTPUTS |
Купить
300 т.
|
|
TO251
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V, 1,5A, 7Ω, 32W |
Купить
0 т.
|
|
TO92
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V, 0,8A, 11Ω, 3W |
Купить
300 т.
|
|
TO-3PN
|
|
N-Channel IGBT с диодом | 600V, 40A, 280W |
Купить
1600 т.
|
|
| TO-3PN
|
|
N-Channel IGBT с диодом | 600V, 30A, 312W |
Купить
1500 т.
|
|
| TO-3PN
|
|
N-Channel IGBT с диодом | 600V, 40A, 280W |
Купить
1800 т.
|
|
| TO-3PN
|
|
N-Channel IGBT с диодом | 600V, 40A, 280W |
Купить
1600 т.
|
|
| TO-3PN
|
|
N-Channel IGBT с диодом | 600V, 40A, 312W |
Купить
1600 т.
|
|
|
GD74HCT27
|
DIP14
|
|
Dual 4-input NAND Gate |
Купить
550 т.
|
|
TO-252
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 100A, 4,0mΩ, 100W |
Купить
400 т.
|
