Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 13 позиций 
  Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
ES3J
SMC
Chino-Excel Technology Fast Rectifier
Купить
250 т.
Товар в корзине
ES5J
SMC
Chino-Excel Technology
Купить
350 т.
Товар в корзине
H5N2517FN
TO-220F LG-formed
Renesas Technology N-канальный MOSFET с диодом
250V, 20A, 30W
Купить
850 т.
Товар в корзине
2SK1070
SOT89
Renesas Technology N-Channel Junction FET
Купить
1400 т.
Товар в корзине
H7N1004DS
DPAK
Renesas Technology N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
100V, 25A, 25mΩ
Товар в корзине
CED63A3
DPAK
Chino-Excel Technology N-канальный MOSFET с диодом
Купить
0 т.
Товар в корзине
RJP6065DPM
TO-3PFM.
Renesas Technology N-Channel IGBT
630V, ±30A, 50W
Товар в корзине
CEP75N06
TO220
Chino-Excel Technology N-канальный MOSFET с диодом
60V, 87A, 12mΩ
Купить
600 т.
Товар в корзине
CEP1195
TO220AB
Chino-Excel Technology N-канальный MOSFET с диодом
900V, 5A, 2,75mΩ
Купить
650 т.
Товар в корзине
CED83A3G Δ
TO252AA
Chino-Excel Technology N-канальный MOSFET с диодом
30V, 93A, 4,8mΩ
Купить
350 т.
Товар в корзине
2SK1070PIDTL-E
SOT23
Renesas Technology N-Channel Junction FET
Тех. описание(PDF)
Купить
0 т.
Товар в корзине
H5N5001FM
TO–220FM
Renesas Technology N-канальный MOSFET с диодом
500V, 5A, 1,1Ω, 15ns, 15nC
Товар в корзине
SS310
SMC
Chino-Excel Technology Schottky
Купить
200 т.
Товар в корзине