Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 12 позиций 
Микросхемы прочие
QIP12(FINDIP12)

TDA1044

MEV MEV
Есть в наличии
Купить
150 т.
Товар в корзине
УМЗЧ
PENTAWATT V

TDA2006

УМЗЧ
MEV MEV
Есть в наличии
Купить
300 т.
Товар в корзине
Микросхемы прочие
DIP14

TBA120U

MEV MEV
Есть в наличии
Купить
200 т.
Товар в корзине
NPN
TO220F

BUT18AF

450V, 6A, 33W
NPN
MEV MEV
Есть в наличии
Купить
450 т.
Товар в корзине
Микросхемы прочие
DIP16

TDA440

MEV MEV
Есть в наличии
Купить
160 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO-220F LG-formed

H5N2517FN

250V, 20A, 30W
N-канальный MOSFET с диодом
Renesas Technology Renesas Technology
Есть в наличии
Купить
850 т.
Товар в корзине
N-Channel (обработка)
SOT89

2SK1070

N-Channel Junction FET
Renesas Technology Renesas Technology
Есть в наличии
Купить
1400 т.
Товар в корзине
PNP
TO39

2N2905

PNP
MEV MEV
Есть в наличии
Купить
200 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
DPAK

H7N1004DS

100V, 25A, 25mΩ
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
Renesas Technology Renesas Technology
Нет в наличии
Товар в корзине
N-Channel IGBT
TO-3PFM.

RJP6065DPM

630V, ±30A, 50W
N-Channel IGBT
Renesas Technology Renesas Technology
Нет в наличии
Товар в корзине
N-Channel (обработка)
SOT23

2SK1070PIDTL-E

Тех. описание(PDF)
N-Channel Junction FET
Renesas Technology Renesas Technology
Нет в наличии
Купить
0 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO–220FM

H5N5001FM

500V, 5A, 1,1Ω, 15ns, 15nC
N-канальный MOSFET с диодом
Renesas Technology Renesas Technology
Нет в наличии
Товар в корзине