Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 1415 позиций
| Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
|---|---|---|---|---|---|
|
TLP734F
|
DIP6_TOSH
|
|
Купить
0 т.
|
||
11-10C4
|
|
Оптотранзистор | Тех. описание(PDF) |
Купить
450 т.
|
|
|
2SD526-Y
|
TO220AB
|
|
NPN | 80V, 4A |
Купить
500 т.
|
TO-3PN
|
|
N-Channel IGBT с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
2000 т.
|
|
|
TA7774PG
|
DIP16
|
|
Купить
650 т.
|
||
|
TC74VHC4052AN
|
TSSOP16
|
|
Мультиплексор / 8-Channel Analog Multiplexer/Demultiplexer | Тех. описание(PDF) |
Купить
450 т.
|
2-2J1A
|
|
NPN Dual (Digital) | Тех. описание(PDF) |
Купить
400 т.
|
|
|
TPCA8036-H
|
QFN8
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 38A, 2,8mΩ |
Купить
550 т.
|
SOP Advance
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 32A, 3,8mΩ |
Купить
400 т.
|
|
| SOP Advance
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 16A, 11,7mΩ |
Купить
300 т.
|
|
| TO-3PN
|
|
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected | 500V, 10A, 0,56Ω, 125W |
Купить
750 т.
|
|
TO220FP
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 650V, 13A, 0,32Ω, 40W, 950pF |
Купить
1450 т.
|
|
TO220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected | 30V, 45A, 9,5Ω, 65W |
Купить
0 т.
|
|
2-10U1B
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V, 20A, 0,13Ω, 45W |
Купить
800 т.
|
|
| 2-10U1B
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V, 20A, 0,13Ω, 45W |
Купить
800 т.
|
|
|
2SD1407
|
TO220FM
|
|
NPN |
Купить
0 т.
|
|
|
2SC5586
|
ISOWATT218
|
|
NPN | 600V, 5A, 70W |
Купить
400 т.
|
|
GT20D201
|
TO264
|
|
P-Channel IGBT | -250V, -25A, 180W |
Купить
0 т.
|
|
GT20D101
|
TO264
|
|
N-Channel IGBT | 250V, 25A, 180W |
Купить
0 т.
|
|
GT30F132
|
TO263
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
500 т.
|
|
DO15
|
|
Диоды с накоплением заряда (быстровосстанавливающиеся) | 1000V, 1A; FAST RECOVERY DIODE |
Купить
0 т.
|
|
| TO264
|
|
N-Channel IGBT с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
1300 т.
|
|
| TO220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
750 т.
|
|
| TO-3PN
|
|
N-Channel IGBT с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
1300 т.
|
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT | 600V, 200A |
Купить
900 т.
|
|
2-3L1A
|
|
NPN & PNP | 30V, 1A |
Купить
300 т.
|
|
| TO264
|
|
N-Channel IGBT | 600V, 80A, 200V |
Купить
0 т.
|
|
11-7A902
|
|
PHOTO-TRIAC | Тех. описание(PDF) |
Купить
500 т.
|
|
|
2SA1451A
|
2-10R1A
|
|
PNP (Automotive) | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
|
TC4538BP
|
DIP16
|
|
Мультивибратор. Retriggerable/Resettable Monostable Multivibrator | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
TO220ML
|
|
N-Channel с диодом +Zener-protected | 150V, 18A |
Купить
450 т.
|
|
| 11-7A902
|
|
Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
||
|
2SC3423
|
2-8H1A
|
|
NPN | Тех. описание(PDF) |
Купить
300 т.
|
|
TLP3115
|
11-7A902
|
|
PHOTO RELAY | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
|
TPCA8077-H
|
2-5Q1A
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 18A |
Купить
400 т.
|
2-5J1C
|
|
N-Channel с диодом +Zener-protected | 150V, 0,67A, 1Ω, 0,9W |
Купить
550 т.
|
|
|
2SA1316
|
TO92
|
|
PNP | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
D2PAK
|
|
P-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected | -60V, -30A, 29mΩ, 100W |
Купить
550 т.
|
|
|
GT60N324
|
TO264
|
|
N-Channel IGBT с диодом |
Купить
1500 т.
|
|
|
2SC3423
|
TO126
|
|
NPN | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
11-7A9
|
|
Оптосимистор | 600V |
Купить
450 т.
|
|
| TO220F
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V, 15A, 0,24Ω |
Купить
500 т.
|
|
|
TPCA8030-H
|
2-5Q1A
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 24A, 7,3mΩ |
Купить
450 т.
|
| TO263
|
|
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected | Тех. описание(PDF) |
Купить
500 т.
|
|
|
2SA1307
|
TO220FM
|
|
PNP | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
SOIC8
|
|
P-канальный MOSFET с диодом | -30V, -10A |
Купить
400 т.
|
|
|
2SA1150
|
2-4E1A
|
|
PNP | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
SC-67
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V, 18A, 0,165Ω, 45W |
Купить
550 т.
|
|
11-7A8
|
|
GaAs Ired & Photo-Transistor |
Купить
450 т.
|
||
| TO220FP
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 650V, 17A, 0,2Ω, 45W |
Купить
1000 т.
|
|
TO-247-3
|
|
1200V, 36A, 80mΩ |
Купить
т.
|
||
| TO-247-3
|
|
Silicon Carbide Schottky Diode | 1200V, 18A, 54nC |
Купить
т.
|
|
| SC-67
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
350 т.
|
|
| SC-67
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
400 т.
|
|
|
ULN2803AG
|
SO18-300
|
|
NPN Darlington с диодом |
Купить
500 т.
|
|
TO220-2
|
|
Silicon Carbide Schottky Diode | 1200V, 16A, 52nC |
Купить
т.
|
|
|
1SV217
|
SOD323
|
|
Купить
0 т.
|
||
2-7B5B
|
|
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected | 60V, 20A, 0,039Ω, 40W |
Купить
0 т.
|
|
| TO220FM
|
|
NPN Darlington с диодом (Automotive) | 100V, 7A, |
Купить
500 т.
|
|
|
GT30J127
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT | 600V, 30A/200A |
Купить
400 т.
|
1114N101A
|
|
Купить
т.
|
|||
11-4N1A
|
|
Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
||
PDIP4 (DIP4-300-2.54)
|
|
Оптосимистор | Photocoupler GaAs IRed & Photo-Triac |
Купить
450 т.
|
|
SMD-8(TOSH)
|
|
Купить
500 т.
|
|||
11-10C4S
|
|
Тех. описание(PDF) |
Купить
850 т.
|
||
|
1SV239
|
SOD323
|
|
Variable Capacitance Diode | VCO for UHF Radio |
Купить
120 т.
|
|
2SA1151
|
TO92
|
|
PNP |
Купить
250 т.
|
|
|
2SC1959-Y
|
TO-92 (Bent Lead)
|
|
NPN |
Купить
220 т.
|
|
|
2SC3298A
|
TO220F
|
|
NPN |
Купить
350 т.
|
|
|
2SC3997
|
TO264
|
|
NPN |
Купить
650 т.
|
|
|
2SD1407A
|
TO220FM
|
|
NPN |
Купить
500 т.
|
|
|
2SK3747
|
ISOWATT218
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 1500V, 25A, 13Ω |
Купить
1300 т.
|
|
GT45G128
|
TO-220F LG-formed
|
|
N-Channel IGBT |
Купить
750 т.
|
|
SOP8
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 10A, 3,8mΩ |
Купить
500 т.
|
|
|
2SC4935
|
TO220F
|
|
NPN |
Купить
т.
|
|
|
10GL2CZ47A <10GL2CZ>
|
12-10C1A
|
|
HIGH EFFICIENCY DIODE STACK (HED) | Тех. описание(PDF) |
Купить
400 т.
|
|
2SA1869
|
TO220F
|
|
PNP | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
| SC-67
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
т.
|
||
| TO-3PN
|
|
N-Channel IGBT с диодом | 1350V, 40A |
Купить
1350 т.
|
|
| TO-3PN
|
|
N-Channel с диодом +Zener-protected | Тех. описание(PDF) |
Купить
1200 т.
|
