Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 18 позиций
| Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
|---|---|---|---|---|---|
|
ES3J
|
SMC
|
|
Fast Rectifier |
Купить
250 т.
|
|
|
ES5J
|
SMC
|
|
Купить
350 т.
|
||
|
IN74AC273N
|
DIP20
|
|
Купить
100 т.
|
||
|
IN74LS85N
|
DIP16
|
|
Цифровая |
Купить
120 т.
|
|
DPAK
|
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
0 т.
|
||
|
MIK324
|
DIP14
|
|
Операционный усилитель. LOW POWER QUAD OPERATIONAL AMPLIFIER | Тех. описание(PDF) |
Купить
120 т.
|
|
431C
|
TO92
|
|
ИОНиТ | Регулируемый ИОН |
Купить
70 т.
|
SO14
|
|
Стандартная логика. Шесть буферных элементов с открытым коллекторным высоковольтным выходом | Тех. описание(PDF) |
Купить
300 т.
|
|
TO220
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 60V, 87A, 12mΩ |
Купить
600 т.
|
|
|
IL145567N
|
DIP20
|
|
Купить
т.
|
||
|
IW4502BD
|
SO16
|
|
Strobed Hex Inverter/Buffer; High-Voltage Silicon-Gate CMOS | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
IW4520BD
|
SO16
|
|
Счетчики. Dual up-counter, high-voltage silicon-gate CMOS | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
IW4011BD
|
SO14
|
|
Quad 2-Input NAND Gate/High-Voltage Silicon-Gate CMOS | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
TO220AB
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 900V, 5A, 2,75mΩ |
Купить
650 т.
|
|
TO252AA
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 93A, 4,8mΩ |
Купить
350 т.
|
|
|
КР1533ИД14
|
DIP16
|
|
Купить
0 т.
|
||
|
КР1533КП11А
|
DIP16
|
|
Купить
0 т.
|
||
|
SS310
|
SMC
|
|
Schottky |
Купить
200 т.
|
