Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 21 позиций
Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
---|---|---|---|---|---|
2W08M
|
WOB
|
Купить
120 т.
|
|||
1.5KE33СA
|
DO201
|
Купить
150 т.
|
|||
MBR840
|
TO220-2
|
Schottky Barrier Rectifier / Шоттки | 40V, 8A |
Купить
400 т.
|
|
IN74AC273N
|
DIP20
|
Купить
100 т.
|
|||
IN74LS85N
|
DIP16
|
Цифровая |
Купить
120 т.
|
||
DO-201AD
|
SUPER FAST RECTIFIER | Fast soft-recovery controlled avalanche rectifier |
Купить
0 т.
|
||
P6KE6.8A
|
DO15
|
Купить
130 т.
|
|||
MIK324
|
DIP14
|
Операционный усилитель. LOW POWER QUAD OPERATIONAL AMPLIFIER | Тех. описание(PDF) |
Купить
120 т.
|
|
431C
|
TO92
|
ИОНиТ | Регулируемый ИОН |
Купить
70 т.
|
|
ERD09-15
|
DO201
|
FAST RECOVERY RECTIFIER | 1500V, 3A |
Купить
220 т.
|
|
SO14
|
Стандартная логика. Шесть буферных элементов с открытым коллекторным высоковольтным выходом | Тех. описание(PDF) |
Купить
300 т.
|
||
RG4C
|
DO27
|
HIGH EFFICIENCY RECTIFIER | 50ns |
Купить
0 т.
|
|
IL145567N
|
DIP20
|
Купить
т.
|
|||
IW4502BD
|
SO16
|
Strobed Hex Inverter/Buffer; High-Voltage Silicon-Gate CMOS | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
IW4520BD
|
SO16
|
Счетчики. Dual up-counter, high-voltage silicon-gate CMOS | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
IW4011BD
|
SO14
|
Quad 2-Input NAND Gate/High-Voltage Silicon-Gate CMOS | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
TO220-2
|
Schottky | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
||
КР1533ИД14
|
DIP16
|
Купить
0 т.
|
|||
КР1533КП11А
|
DIP16
|
Купить
0 т.
|
|||
2SA1661
|
SOT89
|
PNP |
Купить
250 т.
|
||
MBRF10100CT
|
TO-220IS
|
Schottky Barrier Diode |
Купить
400 т.
|