Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 18 позиций
| Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
|---|---|---|---|---|---|
|
AME1117ACCT
|
DPAK
|
|
Купить
0 т.
|
||
|
AME1084DCCS
|
TO220AB
|
|
Линейный регулятор |
Купить
0 т.
|
|
|
AM1085ACDT
|
TO263
|
|
Купить
0 т.
|
||
|
AME1084DCCS-3,3
|
DPAK
|
|
Линейный регулятор |
Купить
0 т.
|
|
|
AME1117DT-ADJ
|
DPAK
|
|
Купить
300 т.
|
||
|
AME1085ACDT
|
TO263
|
|
3A Low Dropout Positive Voltage Regulator | Тех. описание(PDF) |
Купить
250 т.
|
TO-252-2
|
|
Silicon Carbide Schottky Diode | 600V, 6A, 10nC |
Купить
1400 т.
|
|
|
CMF20120D
|
TO-247
|
|
N-канальный MOSFET с диодом | 1200V, 98A, 80mΩ (Z-FET SiC MOSFET) |
Купить
0 т.
|
|
CSD06060A
|
TO-220-2
|
|
Silicon Carbide Schottky Diode | 600V, 6A, 17nC |
Купить
0 т.
|
|
AME8805AEGT
|
SOT223
|
|
600mA CMOS LDO | Тех. описание(PDF) |
Купить
400 т.
|
|
AME8816CEHAADJ
|
SOIC8
|
|
1.5A CMOS LDO | Тех. описание(PDF) |
Купить
600 т.
|
TO-247-3
|
|
1200V, 36A, 80mΩ |
Купить
т.
|
||
| TO-247-3
|
|
Silicon Carbide Schottky Diode | 1200V, 18A, 54nC |
Купить
т.
|
|
TO220-2
|
|
Silicon Carbide Schottky Diode | 1200V, 16A, 52nC |
Купить
т.
|
|
|
CSD10060A
|
TO220-2
|
|
Schottky |
Купить
1500 т.
|
|
|
CSD10060G
|
TO263
|
|
Schottky | 600V, 10A, 28nC |
Купить
1500 т.
|
| TO-247-3
|
|
Silicon Carbide Schottky Diode | 600V, 22A, 42nC |
Купить
т.
|
|
| TO-220-2
|
|
Silicon Carbide Schottky Diode | 600V, 7,5A, 8,5nC |
Купить
т.
|
