Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

  • Первая
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4
  •  всего найдено 147 позиций 

    S1P2655A03-D0

    Микросхемы прочие
    HIGH VOLTAGE, HIGH CURRENT DARINGTON ARRAYS
    Тех. описание(PDF)
    Samsung Electronics
    DIP16
    Есть в наличии
    Samsung Electronics
    Купить
    1700 т.
    Товар в корзине

    SEM2106

    Микросхемы прочие
    CCFL Inverter Driver IC
    Тех. описание(PDF)
    Samsung Electronics
    SO24
    Есть в наличии
    Samsung Electronics
    Купить
    700 т.
    Товар в корзине

    2N5401Y

    PNP
    PNP
    Samsung Electronics
    TO92
    Есть в наличии
    Samsung Electronics
    Купить
    40 т.
    Товар в корзине

    HY4004B ◙

    N-Channel с диодом
    N-канальный MOSFET с диодом
    40V, 208A, 2,5mΩ
    HUAYI Microelectronics
    TO-263-2L
    Нет в наличии
    HUAYI Microelectronics
    Товар в корзине

    HY4004P ◙

    N-Channel с диодом
    N-канальный MOSFET с диодом
    40V, 208A, 2,5mΩ
    HUAYI Microelectronics
    TO-220FB-3L
    Нет в наличии
    HUAYI Microelectronics
    Товар в корзине

    S3F9454BZZ-DK94

    Микросхемы прочие
    8-BIT CMOS MICROCONTROLLER
    Тех. описание(PDF)
    Samsung Electronics
    DIP20
    Есть в наличии
    Samsung Electronics
    Купить
    750 т.
    Товар в корзине

    S3F9454BZZSK94

    Микросхемы прочие
    8-BIT CMOS MICROCONTROLLER
    Samsung Electronics
    20-SSOP-225
    Есть в наличии
    Samsung Electronics
    Купить
    600 т.
    Товар в корзине

    K9F1G08UOD-SCBO

    Микросхемы прочие
    Samsung Electronics
    TSOP48 12X20mm
    Есть в наличии
    Samsung Electronics
    Купить
    2700 т.
    Товар в корзине

    K9GAG08UOE-SCBO

    Микросхемы прочие
    Samsung Electronics
    TSOP48 12X20mm
    Есть в наличии
    Samsung Electronics
    Купить
    3650 т.
    Товар в корзине

    SEM2107

    Микросхемы прочие
    Samsung Electronics
    SOP28
    Есть в наличии
    Samsung Electronics
    Купить
    850 т.
    Товар в корзине

    KSA1298

    PNP
    PNP
    Тех. описание(PDF)
    Samsung Electronics
    SOT23
    Есть в наличии
    Samsung Electronics
    Купить
    100 т.
    Товар в корзине

    HYG055N08NS1P

    N-Channel с диодом
    N-канальный MOSFET с диодом
    80V, 120A, 5,3mΩ, VGS(th): 3V
    HUAYI Microelectronics
    TO-220FB-3L
    Есть в наличии
    HUAYI Microelectronics
    Купить
    650 т.
    Товар в корзине

    HY1920P

    N-Channel с диодом
    N-канальный MOSFET с диодом
    200V, 90A, 23mΩ
    HUAYI Microelectronics
    TO-220FB-3L
    Нет в наличии
    HUAYI Microelectronics
    Товар в корзине

    HY1920W

    N-Channel с диодом
    N-канальный MOSFET с диодом
    200V, 90A, 23mΩ
    HUAYI Microelectronics
    TO-247A-3L
    Нет в наличии
    HUAYI Microelectronics
    Товар в корзине

    HY5110W

    N-Channel с диодом
    N-канальный MOSFET с диодом
    100V, 316A, 2,1mΩ
    HUAYI Microelectronics
    TO-247A-3L
    Нет в наличии
    HUAYI Microelectronics
    Купить
    1500 т.
    Товар в корзине

    HY3003P

    N-Channel с диодом
    N-канальный MOSFET с диодом
    30V, 100A, 3,5mΩ, 71W, 3267pF
    HUAYI Microelectronics
    TO-220FB-3L
    Есть в наличии
    HUAYI Microelectronics
    Купить
    700 т.
    Товар в корзине

    HY14P10B

    P-Channel с диодом
    P-канальный MOSFET с диодом
    -100V, -40A, 45mΩ
    HUAYI Microelectronics
    TO-263-2L.
    Нет в наличии
    HUAYI Microelectronics
    Товар в корзине

    HY3008B

    N-Channel с диодом
    N-канальный MOSFET с диодом
    HUAYI Microelectronics
    TO-263-2L.
    Есть в наличии
    HUAYI Microelectronics
    Купить
    600 т.
    Товар в корзине

    HY3008P

    N-Channel с диодом
    N-канальный MOSFET с диодом
    HUAYI Microelectronics
    TO-220FB-3L
    Есть в наличии
    HUAYI Microelectronics
    Купить
    600 т.
    Товар в корзине

    HY8345 ◙

    Микросхемы прочие
    HUAYI Microelectronics
    SOP8
    Есть в наличии
    HUAYI Microelectronics
    Купить
    800 т.
    Товар в корзине

    HYG067N07NQ1P

    N-Channel с диодом
    N-канальный MOSFET с диодом
    68V, 80A, 6,5mΩ, 136W/68W
    HUAYI Microelectronics
    TO-220FB-3L
    Есть в наличии
    HUAYI Microelectronics
    Купить
    1200 т.
    Товар в корзине

    HYG067N07NQ1PS

    N-Channel с диодом
    N-канальный MOSFET с диодом
    68V, 80A, 6,5mΩ
    HUAYI Microelectronics
    TO-3PS-3L
    Нет в наличии
    HUAYI Microelectronics
    Товар в корзине

    HYG042N10P

    N-Channel с диодом
    N-канальный MOSFET с диодом
    100V, 160A,
    HUAYI Microelectronics
    TO-220FB-3L
    Нет в наличии
    HUAYI Microelectronics
    Купить
    750 т.
    Товар в корзине

    HYG019N04NR1C2

    N-Channel с диодом
    N-канальный MOSFET с диодом
    40V, 127A, 2,0mΩ, 79/39W
    HUAYI Microelectronics
    PDFN8L(5x6)
    Нет в наличии
    HUAYI Microelectronics
    Товар в корзине

    HYG060N08NS1P TO-220FB-3L SAS

    N-Channel с диодом
    N-канальный MOSFET с диодом
    80V, 105A, 5,5mΩ, 125/62,5W
    HUAYI Microelectronics
    TO-220FB-3L
    Есть в наличии
    HUAYI Microelectronics
    Купить
    700 т.
    Товар в корзине

    HY19P03P

    P-Channel с диодом
    P-канальный MOSFET с диодом
    -30V, -90A, 4,7mΩ, 96W, 4787pF
    HUAYI Microelectronics
    TO-220FB-3L
    Есть в наличии
    HUAYI Microelectronics
    Купить
    700 т.
    Товар в корзине

    HYG030N03LQ1P

    N-Channel с диодом
    N-канальный MOSFET с диодом
    30V, 100A/71A, 2,8mΩ, 100W/37,5W, 1986pF
    HUAYI Microelectronics
    TO-220FB-3L
    Есть в наличии
    HUAYI Microelectronics
    Купить
    550 т.
    Товар в корзине
  • Первая
  • 1
  • 2
  • 3
  • 4