Корзина
8 727 374-83-38 / +7 701 322 8530 / info@radiotovar.kz
Каталог товаров > Активные компоненты > Транзисторы

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 6 позиций 
N-Channel IGBT с диодом
TO-3PN

RJH3077DPK

330V, 50A
N-Channel IGBT с диодом
Renesas Technology Corp Renesas Technology Corp
Есть в наличии
Купить
3000 т.
✖
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO263

RJK2017DPE

200V, 45A, 0,036Ω
N-канальный MOSFET с диодом
Renesas Technology Corp Renesas Technology Corp
Есть в наличии
Купить
550 т.
✖
Товар в корзине
P-Channel с диодом
TO220F

2SJ535

Тех. описание(PDF)
P-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
Renesas Technology Corp Renesas Technology Corp
Есть в наличии
Купить
350 т.
✖
Товар в корзине
N-Channel IGBT с диодом
LDPAK (S)-(1)

RJH60D1DPE

600V, 20A, 52W
N-Channel IGBT с диодом
Renesas Technology Corp Renesas Technology Corp
Нет в наличии
Купить
0 т.
✖
Товар в корзине
N-Channel IGBT с диодом
TO220F

RJH60D1DPP-M0

600V, 20A, 30W
N-Channel IGBT с диодом
Renesas Technology Corp Renesas Technology Corp
Есть в наличии
Купить
550 т.
✖
Товар в корзине
N-Channel IGBT с диодом
TO247

RJH60T4DPQ-A0

600V, 60A
N-Channel IGBT с диодом
Renesas Technology Corp Renesas Technology Corp
Есть в наличии
Купить
900 т.
✖
Товар в корзине