×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 6 позиций 
  Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
RJH3077DPK
TO-3PN
Renesas Technology Corp N-Channel IGBT с диодом 330V, 50A
Купить
3000 т.
Товар в корзине
RJK2017DPE
TO263
Renesas Technology Corp N-канальный MOSFET с диодом
200V, 45A, 0,036Ω
Купить
550 т.
Товар в корзине
2SJ535
TO220F
Renesas Technology Corp P-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
Тех. описание(PDF)
Купить
350 т.
Товар в корзине
RJH60D1DPE
LDPAK (S)-(1)
Renesas Technology Corp N-Channel IGBT с диодом
600V, 20A, 52W
Купить
0 т.
Товар в корзине
RJH60D1DPP-M0
TO220F
Renesas Technology Corp N-Channel IGBT с диодом
600V, 20A, 30W
Купить
550 т.
Товар в корзине
RJH60T4DPQ-A0
TO247
Renesas Technology Corp N-Channel IGBT с диодом
600V, 60A
Купить
900 т.
Товар в корзине