Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 213 позиций
Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
---|---|---|---|---|---|
BC546
|
TO92
|
NPN |
Купить
30 т.
|
||
SMAJ36CA-13-F
|
DO-214AC
|
Купить
100 т.
|
|||
SMBJ51A < MZ>
|
DO-214AA
|
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
Купить
200 т.
|
||
SMBJ51CA
|
DO-214AA
|
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR |
Купить
200 т.
|
||
5KP11A
|
R-6
|
Купить
500 т.
|
|||
UGB10BCT-E3/45
|
TO263
|
Dual Common Cathode Ultrafast Rectifier |
Купить
550 т.
|
||
TO220-2
|
Rectifier diodes fast, soft-recovery | 600V 135ns |
Купить
0 т.
|
||
FEID
|
SOD57
|
Купить
250 т.
|
|||
DPAK
|
N-канальный MOSFET с диодом | 25V, 60A, 7mΩ |
Купить
650 т.
|
||
GSIB-5S
|
Купить
250 т.
|
||||
1.5KE33A
|
DO201
|
Купить
150 т.
|
|||
TO-252
|
P-канальный MOSFET с диодом | -30V, -12A, 45mΩ |
Купить
800 т.
|
||
SOIC8
|
P-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected | -30V, -6A, 45mΩ |
Купить
600 т.
|
||
TO-252
|
N-канальный MOSFET с диодом | 25V, 50A, 9,5mΩ |
Купить
600 т.
|
||
SOIC8
|
N-Channel +D & P-Channel +D | 30V, 7A, 21mΩ / -30V, -6A, 35mΩ |
Купить
550 т.
|
||
DIP8-300
|
Dual N-Channel +D & Dual P-Channel +D | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
||
TO-252
|
N-канальный MOSFET с диодом | 40V, 12A, 25mΩ |
Купить
500 т.
|
||
P2803NVG
|
SOIC8
|
Купить
0 т.
|
|||
DPAK
|
N-канальный MOSFET с диодом | 40V, 25A, 28mΩ |
Купить
300 т.
|
||
DPAK-5(4)
|
N-Channel +D & P-Channel +D | 40V 12A 30mΩ/-40A -55A 8,8mΩ |
Купить
400 т.
|
||
TO252
|
N-канальный MOSFET с диодом (Logic Level) | 25V, 12A, 50mΩ |
Купить
750 т.
|
||
TO252
|
P-Channel с диодом (Logic Level Enhancement) | -40V, -10A, 44mΩ |
Купить
450 т.
|
||
P5504EDG
|
DPAK
|
P-канальный MOSFET с диодом |
Купить
500 т.
|
||
SOIC8
|
Dual N-Channel | 4A 60V |
Купить
0 т.
|
||
P5606HVG
|
SOIC8
|
Купить
1650 т.
|
|||
SOT23
|
PNP | Тех. описание(PDF) |
Купить
70 т.
|
||
D2PAK (TO263)
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 50A, 13mΩ |
Купить
250 т.
|
||
TO220AB
|
Schottky |
Купить
0 т.
|
|||
TO263
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 60A, 11mΩ, 62,5W |
Купить
450 т.
|
||
ISO220-2
|
Schottky |
Купить
500 т.
|
|||
BS109
|
TO92
|
N-Channel DMOS Transistor | 400V, 120mA, 830mW |
Купить
0 т.
|
|
DFS
|
Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
|||
FES8JT
|
TO220-2
|
FAST EFFICIENT PLASTIC RECTIFIER | 8A 600V 50ns |
Купить
0 т.
|
|
MBR1645CT
|
TO220-2
|
Schottky Barrier Diode |
Купить
500 т.
|
||
BYWF29-200
|
ISO220-2
|
Ultrafast Rectifier | 8A |
Купить
0 т.
|
|
FES8DT
|
TO220-2
|
Купить
0 т.
|
|||
P8008BD
|
TO252AA
|
N-канальный MOSFET с диодом | 80V, 15A, 80mΩ |
Купить
350 т.
|
|
1N5819
|
DO41
|
Schottky | 40V, 1A |
Купить
65 т.
|
|
TO252AA
|
N-канальный MOSFET с диодом | 40V, 55A, 10mΩ |
Купить
550 т.
|
||
TO252
|
N-канальный MOSFET с диодом | 30V, 57A, 9mΩ |
Купить
400 т.
|
||
UGF10DCT
|
TO220AB
|
катоды вместе |
Купить
0 т.
|
||
TO-247AD
|
Schottky | 30A катоды вместе |
Купить
400 т.
|
||
P2204ND5G
|
DPAK-5
|
Купить
0 т.
|
|||
SB540A
|
DO201
|
Schottky |
Купить
150 т.
|
||
0408G31GF6 <31GF6>
|
31GF60408G
|
Ultrafast Plastic Rectifier | 600V, 3A |
Купить
400 т.
|
|
SOT23
|
NPN | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
||
GSIB2560
|
GSIB-5S
|
Купить
600 т.
|
|||
TO-252-4L
|
N-Channel +D & P-Channel +D |
Купить
350 т.
|
|||
1.5KE9,1A
|
DO201
|
Купить
130 т.
|
|||
GSIB2580
|
GSIB-5S
|
Купить
0 т.
|
|||
SOIC8
|
P-канальный с диодом (Logic Level) | -30V, -9V, 20mΩ |
Купить
300 т.
|
||
DPAK
|
P-канальный MOSFET с диодом | -40V, -45A, 15mΩ |
Купить
550 т.
|
||
1.5KE220A
|
DO201
|
Купить
120 т.
|
|||
SB3200
|
DO201
|
Schottky | 3A 200V |
Купить
140 т.
|
|
P6KE6.8A
|
DO-15
|
Купить
80 т.
|
|||
1.5KE440CA
|
DO201
|
Купить
150 т.
|
|||
GSIB1560
|
GSIB-5S
|
Купить
0 т.
|
|||
R-6(Uni)
|
Transient Voltage Suppression Diode |
Купить
500 т.
|
|||
SMAJ15CA
|
SMA/DO-214AC
|
Bi-Directional TVS Diode |
Купить
100 т.
|
||
SM6S30A
|
DO-218AB
|
Купить
1500 т.
|
|||
SMBJ5.0A
|
SMB/DO-214AA
|
Купить
80 т.
|
|||
R-6
|
Купить
250 т.
|
||||
GSIB2560
|
GSIB-5S
|
Купить
600 т.
|
|||
ES3D
|
SMC/DO214AB
|
Surface Mount Ultrafast Plastic Rectifier | 200V, 3A, 20ns |
Купить
120 т.
|
|
ES2D
|
SMB (DO-214AA)
|
Surface Mount Ultrafast Plastic Rectifier | 200V, 2A, 20ns |
Купить
т.
|
|
TO252AA
|
P-Channel с диодом (Logic Level) | -20V, -10A, 115mΩ |
Купить
500 т.
|
||
TO-252
|
P-канальный MOSFET с диодом | -40V, -18A, 25,8mΩ |
Купить
250 т.
|
||
TO252
|
N-канальный MOSFET с диодом | 100V, 50A, 26mΩ |
Купить
650 т.
|
||
SO8
|
N-Channel +D & P-Channel +D | 30V, 7A, 27,5mΩ / -30V, -5A, 45mΩ |
Купить
700 т.
|
||
50SQ100
|
DO201
|
Купить
250 т.
|
|||
SBYV28-200
|
DO201
|
Soft Recovery Ultrafast Plastic Rectifier | Тех. описание(PDF) |
Купить
200 т.
|
|
SF18
|
DO41
|
Купить
60 т.
|
|||
P60N03LDG
|
DPAK
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
400 т.
|
||
SOIC8
|
Dual P-Channel с диодом (Logic Level) | -30V, -6A, 500mΩ |
Купить
т.
|
||
DPAK
|
N-канальный MOSFET с диодом (Logic Level) | -30V, -62A, 9,8mΩ |
Купить
т.
|
||
SOIC8
|
P-канальный MOSFET с диодом | -30V, -13A, 10,5mΩ |
Купить
т.
|
||
SM8A27-E3/D2
|
DO-218AB
|
Transient Voltage Suppressor | Uni-directional |
Купить
850 т.
|
|
SA26A
|
DO-204AC
|
Купить
100 т.
|
|||
P6KE47CA
|
DO15
|
Купить
100 т.
|
|||
|
SMA/DO-214AC
|
Купить
100 т.
|