×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 5 позиций 

SKSS055N08N

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
85V, 120A, 4,6mΩ, 174W
China Resources Microelectronics
TO-263
Нет в наличии
China Resources Microelectronics
Товар в корзине

E5NE60C

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
600V, 4,5A, 2,0Ω
Jiangsu Donghai Semiconductor Technology
TO-263
Нет в наличии
Jiangsu Donghai Semiconductor Technology
Товар в корзине

VBL1208N

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
VBsemi Electronics Co.,Ltd
TO-263
Есть в наличии
VBsemi Electronics Co.,Ltd
Купить
900 т.
Товар в корзине

PE58120P

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
85V, 120A, 5,4mΩ, 180W,
ChipSourceTek
TO-263
Есть в наличии
ChipSourceTek
Купить
600 т.
Товар в корзине

NCE15TD60D

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 15A,
NCE Power Semiconductor
TO-263
Есть в наличии
NCE Power Semiconductor
Купить
700 т.
Товар в корзине