Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 5 позиций
SKSS055N08N![]() ![]() |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
85V, 120A, 4,6mΩ, 174W
China Resources Microelectronics
TO-263
|
![]() |
Купить
т.
Товар в корзине
|
E5NE60C![]() ![]() |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
600V, 4,5A, 2,0Ω
Jiangsu Donghai Semiconductor Technology
TO-263
|
![]() |
Купить
т.
Товар в корзине
|
VBL1208N![]() ![]() |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
VBsemi Electronics Co.,Ltd
TO-263
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
900 т.
Товар в корзине
|
PE58120P![]() ![]() |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
85V, 120A, 5,4mΩ, 180W,
ChipSourceTek
TO-263
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
600 т.
Товар в корзине
|
NCE15TD60D![]() ![]() |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 15A,
NCE Power Semiconductor
TO-263
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
700 т.
Товар в корзине
|