Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 5 позиций
STP60NF06![]() ![]() |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
60V, 60A, 0,014Ω, 110W, 1660pF
ST Microelectronics
TO220_ST
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
250 т.
Товар в корзине
|
BD709![]() ![]() |
NPN
NPN
Структура - n-p-n
Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
Ток коллектора, не более: 12 А
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 75 Вт
Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 150
Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
Корпус: TO-220
ST Microelectronics
TO220_ST
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
1750 т.
Товар в корзине
|
GP10N50A![]() |
Биполярные с изолированным затвором (IGBT)
ST Microelectronics
TO220_ST
|
![]() |
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
2SC2078![]() |
NPN RF
NPN RF
75V, 3A
Unknown Brand
TO220_ST
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
350 т.
Товар в корзине
|
TIP130![]() |
NPN Darlington с диодом
NPN Darlington с диодом
ST Microelectronics
TO220_ST
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
200 т.
Товар в корзине
|