×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 5 позиций 

F1B2CCI ◙

Диоды с накоплением заряда (быстровосстанавливающиеся)
STACK SILICON DIFFUSED DIODE (HIGH SPEED RECTIFIER)
200V, 10A
KEC(Korea Electronics)
TO220F
Есть в наличии
KEC(Korea Electronics)
Купить
550 т.
Товар в корзине

F1B2CC

Диоды с накоплением заряда (быстровосстанавливающиеся)
STACK SILICON DIFFUSED DIODE (HIGH SPEED RECTIFIER)
200V, 10A
KEC(Korea Electronics)
TO220AB
Нет в наличии
KEC(Korea Electronics)
Товар в корзине

F1B2CAI

Диоды с накоплением заряда (быстровосстанавливающиеся)
STACK SILICON DIFFUSED DIODE (HIGH SPEED RECTIFIER)
200V, 10A
KEC(Korea Electronics)
TO220F
Нет в наличии
KEC(Korea Electronics)
Купить
0 т.
Товар в корзине

FCH10A20

Диоды Шоттки
Schottky Barrier Diode
200V, 10A
Nihon Inter Electronics Corporation
TO220F
Нет в наличии
Nihon Inter Electronics Corporation
Купить
0 т.
Товар в корзине

FFB20UP20DN (marking: F20UP20DN)

Диоды ультрабыстрые
Ultrafast Dual Rectifiers
200V, 10A
Fairchild Semiconductor
TO263
Есть в наличии
Fairchild Semiconductor
Купить
750 т.
Товар в корзине