Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 5 позиций
F1B2CCI ◙![]() ![]() |
Диоды с накоплением заряда (быстровосстанавливающиеся)
STACK SILICON DIFFUSED DIODE (HIGH SPEED RECTIFIER)
KEC(Korea Electronics)
TO220F
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
550 т.
Товар в корзине
|
F1B2CC![]() |
Диоды с накоплением заряда (быстровосстанавливающиеся)
STACK SILICON DIFFUSED DIODE (HIGH SPEED RECTIFIER)
200V, 10A
KEC(Korea Electronics)
TO220AB
|
![]() |
Купить
т.
Товар в корзине
|
F1B2CAI![]() ![]() |
Диоды с накоплением заряда (быстровосстанавливающиеся)
STACK SILICON DIFFUSED DIODE (HIGH SPEED RECTIFIER)
200V, 10A
KEC(Korea Electronics)
TO220F
|
![]() |
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
FCH10A20![]() ![]() |
Диоды Шоттки
Schottky Barrier Diode
Nihon Inter Electronics Corporation
TO220F
|
![]() |
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
FFB20UP20DN (marking: F20UP20DN)![]() ![]() |
Диоды ультрабыстрые
Ultrafast Dual Rectifiers
200V, 10A
Fairchild Semiconductor
TO263
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
750 т.
Товар в корзине
|