Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 3 позиций
BD709![]() ![]() |
NPN
NPN
Структура - n-p-n
Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В
Напряжение коллектор-база, не более: 80 В
Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
Ток коллектора, не более: 12 А
Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 75 Вт
Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 150
Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц
Корпус: TO-220
ST Microelectronics
TO220_ST
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
1750 т.
Товар в корзине
|
2SC2078![]() |
NPN RF
NPN RF
75V, 3A
Unknown Brand
TO220_ST
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
350 т.
Товар в корзине
|
TIP130![]() |
NPN Darlington с диодом
NPN Darlington с диодом
ST Microelectronics
TO220_ST
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
200 т.
Товар в корзине
|