Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 8 позиций
IPD25CN10NGATMA1
|
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
100V, 35A, 25mΩ, 71W
Infineon Technologies AG
PG-TO252-3.
|
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
IPD135N03L G (marking: 135N03L)
|
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
30V, 30A, 13,5mΩ, 31W
Infineon Technologies AG
PG-TO252-3.
|
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
SPD09P06PL G
|
P-Channel с диодом
P-канальный MOSFET с диодом
-60V, -9,7A, 0,25Ω
Infineon Technologies AG
PG-TO252-3.
Есть в наличии
|
|
Купить
850 т.
Товар в корзине
|
IPD068P03L3G (marking: 068P03L)
|
P-Channel с диодом
P-канальный MOSFET с диодом
-30V, -70A, 6,8mΩ
Infineon Technologies AG
PG-TO252-3.
|
|
Купить
850 т.
Товар в корзине
|
IPD320N20N3 G
|
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
200V, 34A, 32mΩ, 136W
Infineon Technologies AG
PG-TO252-3.
|
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
IPD068N10N3G (marking: 068N10N)
|
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
100V, 90A, 0,68mΩ, 150W, 3690pF
Infineon Technologies AG
PG-TO252-3.
|
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
IPD95R450P7 (marking: 95R450P7)
|
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
950V, 14A, 0,45Ω, 104W, 1053pF
Infineon Technologies AG
PG-TO252-3.
Есть в наличии
|
|
Купить
1500 т.
Товар в корзине
|
IPD60R600P7S (marking: 60S600P7)
|
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
Infineon Technologies AG
PG-TO252-3.
Есть в наличии
|
|
Купить
750 т.
Товар в корзине
|