×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 6 позиций 

IPD25CN10NGATMA1

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
100V, 35A, 25mΩ, 71W
Infineon Technologies AG
PG-TO252-3.
Нет в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
0 т.
Товар в корзине

IPD135N03L G (marking: 135N03L)

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
30V, 30A, 13,5mΩ, 31W
Infineon Technologies AG
PG-TO252-3.
Нет в наличии
Infineon Technologies AG
Товар в корзине

IPD320N20N3 G

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
200V, 34A, 32mΩ, 136W
Infineon Technologies AG
PG-TO252-3.
Нет в наличии
Infineon Technologies AG
Товар в корзине

IPD068N10N3G (marking: 068N10N)

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
100V, 90A, 0,68mΩ, 150W, 3690pF
Infineon Technologies AG
PG-TO252-3.
Нет в наличии
Infineon Technologies AG
Товар в корзине

IPD95R450P7 (marking: 95R450P7)

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
950V, 14A, 0,45Ω, 104W, 1053pF
Infineon Technologies AG
PG-TO252-3.
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
1500 т.
Товар в корзине

IPD60R600P7S (marking: 60S600P7)

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
Infineon Technologies AG
PG-TO252-3.
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
750 т.
Товар в корзине