Каталог товаров > Активные компоненты > Транзисторы > Биполярные с изолированным затвором (IGBT) > N-Channel IGBT с диодом
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 7 позиций
SKB10N60A (marking: K10N60A)
|
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
Infineon Technologies AG
PG-TO-263-3-2
Есть в наличии
|
|
Купить
800 т.
Товар в корзине
|
STGF10NC60KD (marking: GF10NC60KD)
|
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
ST Microelectronics
TO220F
|
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
STGP10NC60KD (marking: GP10NC60KD)
|
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
ST Microelectronics
TO220(ST)
Есть в наличии
|
|
Купить
950 т.
Товар в корзине
|
IRGIB10B60KD1
|
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
IR-International Rectifier
TO220F
Есть в наличии
|
|
Купить
400 т.
Товар в корзине
|
STGP10NC60HD (marking: GP10NC60HD)
|
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 10A
ST Microelectronics
TO220(ST)
|
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
STGB10NC60KD
|
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 10A
ST Microelectronics
D²PAK (TO-263)
Есть в наличии
|
|
Купить
1250 т.
Товар в корзине
|
STGP10NC60KD (marking: GP10NC60KD)
|
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 10A
ST Microelectronics
TO220AB
Есть в наличии
|
|
Купить
1000 т.
Товар в корзине
|