Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 9 позиций
SKSS055N08N
|
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
85V, 120A, 4,6mΩ, 174W
China Resources Microelectronics
TO-263
|
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
E5NE60C
|
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
600V, 4,5A, 2,0Ω
Jiangsu Donghai Semiconductor Technology
TO-263
|
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
SB1640LDC
|
Диоды Шоттки
SCHOTTKY
PANJIT [Pan Jit International Inc.]
TO-263
|
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
VBL1208N
|
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
VBsemi Electronics Co.,Ltd
TO-263
Есть в наличии
|
|
Купить
900 т.
Товар в корзине
|
PE58120P
|
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
85V, 120A, 5,4mΩ, 180W,
ChipSourceTek
TO-263
Есть в наличии
|
|
Купить
600 т.
Товар в корзине
|
SQM120N04-1m7L
|
N-Channel с диодом (Automotive)
N-канальный MOSFET с диодом Automotive
40V,
Vishay Siliconix
TO-263
Есть в наличии
|
|
Купить
1500 т.
Товар в корзине
|
NCE15TD60D
|
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 15A,
NCE Power Semiconductor
TO-263
Есть в наличии
|
|
Купить
700 т.
Товар в корзине
|
SUM110P06-08L-E3
|
P-Channel с диодом
P-канальный MOSFET с диодом
Vishay Siliconix
TO-263
|
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
V10D60C
|
Диоды Шоттки
Dual Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
General Semiconductor
TO-263
Есть в наличии
|
|
Купить
850 т.
Товар в корзине
|