Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 10 позиций
MBR2030CT
|
Диоды Шоттки
Schottky
LT
TO220AB
Есть в наличии
|
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
MBR30100CT
|
Диоды Шоттки
Schottky
LT
TO220AB
Есть в наличии
|
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
GBJ2508
|
Выпрямительные мосты
BRIDGE RECTIFIER
LT
GBJ
Есть в наличии
|
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
GBJ2510
|
Выпрямительные мосты
BRIDGE RECTIFIER
LT
GBJ
Есть в наличии
|
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
SB140
|
Диоды Шоттки
Schottky Barrier Rectifier
LT
DO15
Есть в наличии
|
|
Купить
120 т.
Товар в корзине
|
SRC60R200TF-E (marking: SRC60R200TFE)
|
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
600V, 14A, 200mΩ, 31,3W
Shenzhen Sanrise Technology
TO-220F
|
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
SRC60R200TC-E (marking: SRC60R200TCE)
|
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Shenzhen Sanrise Technology
TO-220C
|
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
SRC60R140BTF-E (marking: SRC60R140BTFE)
|
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
600V, 25A/11,2A, 140mΩ, ??W, 1650pF
Shenzhen Sanrise Technology
TO-220F
Есть в наличии
|
|
Купить
800 т.
Товар в корзине
|
SRC60R030BTG
|
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Shenzhen Sanrise Technology
TO-247
|
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
SRC60R030FBT
|
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
600V, 91A/41A, 30mΩ, 595W
Shenzhen Sanrise Technology
TO-247
|
|
Купить
т.
Товар в корзине
|