Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 363 позиций
Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
---|---|---|---|---|---|
TO220AB
|
NPN Darlington с диодом | 450V, 5A |
Купить
450 т.
|
||
DPAK
|
N-канальный MOSFET с диодом | 60V, 10A, 0,1Ω, 20W, 500pF |
Купить
650 т.
|
||
TO220F
|
N-Channel с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
550 т.
|
||
TO220F
|
N-канальный MOSFET с диодом | 900V, ±3,7A |
Купить
550 т.
|
||
2SC3318
|
TO-3PN
|
NPN | Тех. описание(PDF) |
Купить
т.
|
|
DS18B20Z
|
SOIC8
|
Купить
850 т.
|
|||
ESAC25-02C
|
TO-220-3
|
FAST RECOVERY DIODE |
Купить
450 т.
|
||
SC-65
|
LOW LOSS SUPER HIGH SPEED RECTIFIER | 300V, 20A |
Купить
650 т.
|
||
F5033
|
SOIC8
|
Intellegent Power MOSFET (Automotive) | Тех. описание(PDF) |
Купить
700 т.
|
|
FA5500A
|
SOIC8
|
Power Factor Correction |
Купить
500 т.
|
||
YA865C5CT
|
TO-220-3
|
High Voltage Schottky barrier diode |
Купить
0 т.
|
||
YG865C10
|
TO220F
|
Schottky | 100V, 20A |
Купить
350 т.
|
|
2-16F1A
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V, ±16A |
Купить
0 т.
|
||
16N55G
|
TO220AB
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
0 т.
|
||
TO-3P(Q)
|
N-канальный MOSFET с диодом | Тех. описание(PDF) |
Купить
1000 т.
|
||
FMV16N50ES <16N50E>
|
TO220F
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
650 т.
|
||
TO-247
|
N-Channel IGBT | 1200V, 40A |
Купить
2200 т.
|
||
TO-247
|
N-Channel IGBT с диодом | 600V, 50A |
Купить
1400 т.
|
||
2SK3264-01MR
|
TO-220F LG-formed
|
N-канальный MOSFET с диодом | 800V, 7A |
Купить
т.
|
|
TO220AB
|
N-канальный MOSFET с диодом | 500V, ±19A, 0,29Ω |
Купить
т.
|
||
FA6B20N-C6-L3 (FA6B20-C6-L3) <6B20>
|
SO16
|
CRM PFC Control IC / LLC Current Resonant Control IC | Тех. описание(PDF) |
Купить
750 т.
|
|
F5020
|
K-pack(s)
|
Intellegent Power MOSFET (Automotive) |
Купить
1100 т.
|
||
TO262
|
N-канальный MOSFET с диодом | 150V, ±33A, 54mΩ |
Купить
т.
|
||
TO262
|
N-канальный MOSFET с диодом | 900V, ±6A, 1,92Ω, 195W |
Купить
650 т.
|
||
FA1A61N-C6-L3 <1A61>
|
SOIC8
|
Купить
т.
|
|||
FGW50G60WQ <50G60WQ> ◙
|
TO-247
|
N-Channel IGBT с диодом |
Купить
т.
|
||
TO-220F5
|
N-канальный MOSFET с диодом | 60V, ±70A, 6,5mΩ, 70W |
Купить
т.
|
||
YG981S6R
|
ISO220-2
|
Low-Loss Fast Recovery Diode |
Купить
750 т.
|
||
TO220F
|
N-канальный MOSFET с диодом | 600V, 2A, 6,5Ω, 30W |
Купить
700 т.
|
||
DS18B20
|
TO92
|
Купить
300 т.
|
|||
FA6B22N-C6-L3 <6B22>
|
SO16
|
Купить
1500 т.
|
|||
TO-247
|
N-Channel IGBT с диодом |
Купить
т.
|
|||
TO-247
|
N-Channel IGBT с диодом |
Купить
т.
|
|||
TO-220-3
|
High Voltage Schottky barrier diode | 120V, 30A |
Купить
т.
|
||
FA6B19N-N6-L3
|
SO16
|
Купить
3300 т.
|
|||
DS1602
|
DIP8-300
|
Elapsed Time Counter |
Купить
650 т.
|
||
TO-220F(SLS)
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
1350 т.
|
|||
FA5541B
|
SOIC8
|
Купить
650 т.
|
|||
2SC2624
|
TO-3PN
|
NPN |
Купить
1000 т.
|
||
FA5522
|
SOIC8
|
Купить
1000 т.
|
|||
TO-220F(SLS)
|
N-канальный MOSFET с диодом |
Купить
850 т.
|
|||
DS2401
|
SOT223
|
Silicon Serial Number |
Купить
750 т.
|
||
IPAK
|
P-канальный MOSFET с диодом |
Купить
650 т.
|