Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 9 позиций
TDA9381PS/N2/3I![]() |
Микросхемы прочие
SUPRA
SDIP64-750
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
CS1N60 B3R![]() ![]() |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO251
|
![]() |
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
CS1N60 A1H![]() ![]() |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO92
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
300 т.
Товар в корзине
|
BT40T60ANFU![]() ![]() |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
1600 т.
Товар в корзине
|
BT30N60ANF![]() ![]() |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 30A, 312W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
1500 т.
Товар в корзине
|
BT40T60ANFK![]() ![]() |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 40A, 280W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
1800 т.
Товар в корзине
|
BT40T60ANFD![]() ![]() |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 40A, 280W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
|
![]() |
Купить
1600 т.
Товар в корзине
|
BT40N60BNF![]() ![]() |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 40A, 312W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
|
![]() |
Купить
1600 т.
Товар в корзине
|
CS100N03 B4![]() ![]() |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
30V, 100A, 4,0mΩ, 100W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-252
Есть в наличии
|
![]() |
Купить
400 т.
Товар в корзине
|