Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 13 позиций
APT15GP60BDF1 |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
Advanced Power Technology
TO-247
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
2N5109 |
NPN
NPN
Advanced Power Technology
TO39
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
APT60DQ60S |
Диоды ультрабыстрые
ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
Advanced Power Technology
TO247AC
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
APT15D100KG |
Диоды ультрабыстрые
ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
Advanced Power Technology
TO220-2
Есть в наличии
|
Купить
1350 т.
Товар в корзине
|
CS20N50A8H |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Huajing Microelectronics
TO220AB
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
CS20N50ANH |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Huajing Microelectronics
TO-3PN
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
CS75N75B8H |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
75V, 100A, 10,2mΩ, 230W
Huajing Microelectronics
TO220AB
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
CS150N03A8 |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
30V, 150A, 2,8mΩ, 100W, 10000pF
Huajing Microelectronics
TO220AB
Есть в наличии
|
Купить
550 т.
Товар в корзине
|
CS1N60C23HD (marking: 1N60C23HD) |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Huajing Microelectronics
SOT223
|
Купить
780 т.
Товар в корзине
|
CS20J65AN |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
650V, 20A, 0,18Ω, 180W
Huajing Microelectronics
TO-3PN
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
APT11N80KC3 |
N-Channel с диодом
Super Junction MOSFET
800V, 11A, 0,450Ω
Advanced Power Technology
TO-220-3
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
CS2837AND |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
500V, 20A, 0,18Ω, 230W
Huajing Microelectronics
TO-3PN
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
CS25N50AKR |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
500V, 25A, 0,21Ω, 300W, 3487pF
Huajing Microelectronics
TO247
Есть в наличии
|
Купить
750 т.
Товар в корзине
|