×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 4 позиций 

IPB023N04N (marking: 023N04N)

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
40V, 90A, 2,3mΩ
Infineon Technologies AG
PG-TO263-3
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
500 т.
Товар в корзине

IPB022N04L (marking: 022N04L)

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
40V, 90A, 2,2mΩ
Infineon Technologies AG
PG-TO263-3
Нет в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
0 т.
Товар в корзине

IPB021N06N3G (marking: 021N06N)

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
60V, 120A, 2,1mΩ
Infineon Technologies AG
PG-TO263-3
Нет в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
0 т.
Товар в корзине

IPB020NE7N3G (marking: 020NE7N)

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
75V, 120A, 2,0mΩ, 300W
Infineon Technologies AG
PG-TO263-3
Нет в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
800 т.
Товар в корзине