Каталог товаров > Активные компоненты > Транзисторы > Биполярные транзисторы (BJT)

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 3 позиций 

BD709

NPN
NPN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 80 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 12 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 75 Вт Ко
ST Microelectronics
TO220_ST
Есть в наличии
ST Microelectronics
Купить
1750 т.
Товар в корзине

2SC2078

NPN RF
NPN RF
75V, 3A
Unknown Brand
TO220_ST
Есть в наличии
Unknown Brand
Купить
350 т.
Товар в корзине

TIP130

NPN Darlington с диодом
NPN Darlington с диодом
ST Microelectronics
TO220_ST
Есть в наличии
ST Microelectronics
Купить
200 т.
Товар в корзине