Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 7 позиций
HY4004B ◙ |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
40V, 208A, 2,5mΩ
HUAYI Microelectronics
TO-263-2L
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
FBM85N80B Δ |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
FBM
TO-263-2L
Есть в наличии
|
Купить
500 т.
Товар в корзине
|
FBM85N80B |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
80V, 90A, 7,0mΩ
FBM@
TO-263-2L
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
2SJ665 |
P-Channel с диодом
P-канальный MOSFET с диодом
ON Semiconductor
TO-263-2L
Есть в наличии
|
Купить
350 т.
Товар в корзине
|
NCEP01T13AD |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
100V, 130A, 4,6mΩ, 210W, 6400pF
Wuxi NCE Power Semiconductor
TO-263-2L
|
Купить
750 т.
Товар в корзине
|
NCE8295AD |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
82V, 95A, 8,0mΩ, 170W, 6800pF
NCE Power Semiconductor
TO-263-2L
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
NCEP15T14D |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
150V, 140A, 6,2mΩ, 340W, 5900pF
Wuxi NCE Power Semiconductor
TO-263-2L
|
Купить
1000 т.
Товар в корзине
|