Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 5 позиций
IPD25CN10NGATMA1
|
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
100V, 35A, 25mΩ, 71W
Infineon Technologies AG
PG-TO252-3.
|
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
IPD135N03L G <135N03L>
|
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
30V, 30A, 13,5mΩ, 31W
Infineon Technologies AG
PG-TO252-3.
|
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
SPD09P06PL G
|
P-Channel с диодом
P-канальный MOSFET с диодом
-60V, -9,7A, 0,25Ω
Infineon Technologies AG
PG-TO252-3.
Есть в наличии
|
|
Купить
850 т.
Товар в корзине
|
IPD068P03L3G <068P03L>
|
P-Channel с диодом
P-канальный MOSFET с диодом
-30V, -70A, 6,8mΩ
Infineon Technologies AG
PG-TO252-3.
|
|
Купить
850 т.
Товар в корзине
|
IPD320N20N3 G
|
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
200V, 34A, 32mΩ, 136W
Infineon Technologies AG
PG-TO252-3.
|
|
Купить
т.
Товар в корзине
|