Каталог товаров > Активные компоненты > Транзисторы > Биполярные с изолированным затвором (IGBT)

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 1 позиций 

GT40WR21,Q(O (marking: 40WR21)

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
1800V, 40A, 375W
Toshiba Semiconductor
TO-3P(N)
Есть в наличии
Toshiba Semiconductor
Купить
2500 т.
Товар в корзине