Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 10 позиций
GT35J327 |
N-Channel IGBT
N-Channel IGBT
Toshiba Semiconductor
2-16F1A
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
2SK3680-01 |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Fuji Electric
2-16F1A
Есть в наличии
|
Купить
1750 т.
Товар в корзине
|
2SK3681-01 |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Fuji Electric
2-16F1A
Есть в наличии
|
Купить
750 т.
Товар в корзине
|
GT30J322 |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
Toshiba Semiconductor
2-16F1A
Есть в наличии
|
Купить
1500 т.
Товар в корзине
|
20FL2CZ51A |
Диоды прочие
Toshiba Semiconductor
2-16F1A
Есть в наличии
|
Купить
450 т.
Товар в корзине
|
GT35J321 |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
Toshiba Semiconductor
2-16F1A
Есть в наличии
|
Купить
1500 т.
Товар в корзине
|
20FL2CA5 |
Диоды прочие
Toshiba Semiconductor
2-16F1A
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
1MBK50D-060S (marking: M50D060S) |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
Fuji Electric
2-16F1A
Есть в наличии
|
Купить
1200 т.
Товар в корзине
|
2SK3689-01 |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Fuji Electric
2-16F1A
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
2SK2917 |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
500V, 18A, 0,21Ω, 90W
Toshiba Semiconductor
2-16F1A
Есть в наличии
|
Купить
450 т.
Товар в корзине
|