Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 7 позиций
A3520D
|
Микросхемы прочие
RFT (RFTechniques)
DIP28-600
Есть в наличии
|
|
Купить
120 т.
Товар в корзине
|
A3505DC
|
Микросхемы прочие
RFT (RFTechniques)
DIP28-600
Есть в наличии
|
|
Купить
120 т.
Товар в корзине
|
A3501D
|
Микросхемы прочие
RFT (RFTechniques)
DIP28-600
Есть в наличии
|
|
Купить
120 т.
Товар в корзине
|
CRSS038N08N
|
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
85V, 120A, 3,4mΩ, 208W
China Resources Microelectronics
TO263
|
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
CRST041N08N
|
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
85V, 120A, 3,4mΩ, 208W, 6050pF
China Resources Microelectronics
TO-220-3
Есть в наличии
|
|
Купить
600 т.
Товар в корзине
|
SKD502T
|
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
85V, 120A, 4,6mΩ, 174W, 3086pF
China Resources Microelectronics
TO-220
|
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
SKSS055N08N
|
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
85V, 120A, 4,6mΩ, 174W
China Resources Microelectronics
TO-263
|
|
Купить
т.
Товар в корзине
|