Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 8 позиций 

CS1N60 B3R

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
600V, 1,5A, 7Ω, 32W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO251
Нет в наличии
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Купить
0 т.
Товар в корзине

CS1N60 A1H

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
600V, 0,8A, 11Ω, 3W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO92
Есть в наличии
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Купить
300 т.
Товар в корзине

BT40T60ANFU

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 40A, 280W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
Есть в наличии
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Купить
1600 т.
Товар в корзине

BT30N60ANF

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 30A, 312W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
Есть в наличии
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Купить
1500 т.
Товар в корзине

BT40T60ANFK

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 40A, 280W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
Есть в наличии
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Купить
1800 т.
Товар в корзине

BT40T60ANFD

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 40A, 280W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
Нет в наличии
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Купить
1600 т.
Товар в корзине

BT40N60BNF

N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
600V, 40A, 312W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-3PN
Нет в наличии
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Купить
1600 т.
Товар в корзине

CS100N03 B4

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
30V, 100A, 4,0mΩ, 100W
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
TO-252
Есть в наличии
WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS
Купить
400 т.
Товар в корзине