Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 9 позиций
APT15GP60BDF1 |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
Advanced Power Technology
TO-247
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
2N5109 |
NPN
NPN
Advanced Power Technology
TO39
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
APT60DQ60S |
Диоды ультрабыстрые
ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
Advanced Power Technology
TO247AC
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
APT15D100KG |
Диоды ультрабыстрые
ULTRAFAST SOFT RECOVERY RECTIFIER DIODE
Advanced Power Technology
TO220-2
Есть в наличии
|
Купить
1350 т.
Товар в корзине
|
CRSS038N08N |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
85V, 120A, 3,4mΩ, 208W
China Resources Microelectronics
TO263
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
CRST041N08N |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
85V, 120A, 3,4mΩ, 208W, 6050pF
China Resources Microelectronics
TO-220-3
Есть в наличии
|
Купить
600 т.
Товар в корзине
|
SKD502T |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
85V, 120A, 4,6mΩ, 174W, 3086pF
China Resources Microelectronics
TO-220
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
SKSS055N08N |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
85V, 120A, 4,6mΩ, 174W
China Resources Microelectronics
TO-263
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
APT11N80KC3 |
N-Channel с диодом
Super Junction MOSFET
800V, 11A, 0,450Ω
Advanced Power Technology
TO-220-3
|
Купить
т.
Товар в корзине
|