Каталог товаров > Активные компоненты

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 8 позиций 

AF4825P

Транзисторные сборки
HB
SOIC8
Нет в наличии
HB
Купить
0 т.
Товар в корзине

HER506

Диоды прочие
600V, 5A, 100ns
HB
DO201
Есть в наличии
HB
Купить
200 т.
Товар в корзине

BD139

NPN
NPN
HB
TO126
Есть в наличии
HB
Купить
40 т.
Товар в корзине

MBR30100PT

Диоды Шоттки
Schottky
HB
TO-247
Есть в наличии
HB
Купить
500 т.
Товар в корзине

CRSS038N08N

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
85V, 120A, 3,4mΩ, 208W
China Resources Microelectronics
TO263
Нет в наличии
China Resources Microelectronics
Товар в корзине

CRST041N08N

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
85V, 120A, 3,4mΩ, 208W, 6050pF
China Resources Microelectronics
TO-220-3
Есть в наличии
China Resources Microelectronics
Купить
600 т.
Товар в корзине

SKD502T

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
85V, 120A, 4,6mΩ, 174W, 3086pF
China Resources Microelectronics
TO-220
Нет в наличии
China Resources Microelectronics
Товар в корзине

SKSS055N08N

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
85V, 120A, 4,6mΩ, 174W
China Resources Microelectronics
TO-263
Нет в наличии
China Resources Microelectronics
Товар в корзине