Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 8 позиций
AF4825P |
Транзисторные сборки
HB
SOIC8
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
HER506 |
Диоды прочие
600V, 5A, 100ns
HB
DO201
Есть в наличии
|
Купить
200 т.
Товар в корзине
|
BD139 |
NPN
NPN
HB
TO126
Есть в наличии
|
Купить
40 т.
Товар в корзине
|
MBR30100PT |
Диоды Шоттки
Schottky
HB
TO-247
Есть в наличии
|
Купить
500 т.
Товар в корзине
|
CRSS038N08N |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
85V, 120A, 3,4mΩ, 208W
China Resources Microelectronics
TO263
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
CRST041N08N |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
85V, 120A, 3,4mΩ, 208W, 6050pF
China Resources Microelectronics
TO-220-3
Есть в наличии
|
Купить
600 т.
Товар в корзине
|
SKD502T |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
85V, 120A, 4,6mΩ, 174W, 3086pF
China Resources Microelectronics
TO-220
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
SKSS055N08N |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
85V, 120A, 4,6mΩ, 174W
China Resources Microelectronics
TO-263
|
Купить
т.
Товар в корзине
|