Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 11 позиций
MOC3022 |
Оптроны симисторные
Оптосимистор, оптопара с симисторным выходом
400V, с логическим выходом
Lite-On Technology Corporation
6PIN DIP
Есть в наличии
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
H5N2517FN |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Renesas Technology
TO-220F LG-formed
Есть в наличии
|
Купить
850 т.
Товар в корзине
|
2SK1070 |
N-Channel (обработка)
N-Channel Junction FET
Renesas Technology
SOT89
Есть в наличии
|
Купить
1400 т.
Товар в корзине
|
LTR4206E |
Фототранзисторы
NPN Phototransistor
Lite-On Technology Corporation
LTR
Есть в наличии
|
Купить
200 т.
Товар в корзине
|
H7N1004DS |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
Renesas Technology
DPAK
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
L12ESDL5V0C6-4C
|
Защитные диоды ESD
ESD PROTECTION DEVICE
Lite-On Technology Corporation
SOT23-6
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
RJP6065DPM |
N-Channel IGBT
N-Channel IGBT
Renesas Technology
TO-3PFM.
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
G40100CTFW |
Диоды Шоттки
TRENCH SCHOTTKY RECTIFIER
Lite-On Technology Corporation
ITO-220AB(W/B)
Есть в наличии
|
Купить
400 т.
Товар в корзине
|
2SK1070PIDTL-E |
N-Channel (обработка)
N-Channel Junction FET
Renesas Technology
SOT23
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|
H11A1 |
Оптроны транзисторные
Lite-On Technology Corporation
DIP6-L
Есть в наличии
|
Купить
т.
Товар в корзине
|
H5N5001FM |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
Renesas Technology
TO–220FM
|
Купить
т.
Товар в корзине
|