Главная

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 5 позиций 

IPD60R600P7S (marking: 60R600P7S)

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
Infineon Technologies AG
PG-TO 252-3
Нет в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
700 т.
Товар в корзине

IPD70R900P7SAUMA1 (marking: 70R900P7S)

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
700V, 6A, 0,9Ω, 30,5W
Infineon Technologies AG
PG-TO 252-3
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
1200 т.
Товар в корзине

IPD60R750E6 (marking: 6R750E6)

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
650V, 5,7A, 0,75Ω, 48W
Infineon Technologies AG
PG-TO 252-3
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
600 т.
Товар в корзине

IPD60R360P7S (marking: 60S360P7)

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
650V, 9A, 360mΩ, 41W
Infineon Technologies AG
PG-TO 252-3
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
650 т.
Товар в корзине

IPD70R600P7S (marking: 70S600P7)

N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом +
700V, 8,5A, 0,6Ω,
Infineon Technologies AG
PG-TO 252-3
Есть в наличии
Infineon Technologies AG
Купить
850 т.
Товар в корзине