Главная
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 3 позиций
TK9J90E |
N-Channel с диодом
N-канальный MOSFET с диодом
900V, 9A, 1,0Ω, 250W
Toshiba Semiconductor
TO-3P(N)
|
Купить
1700 т.
Товар в корзине
|
GT40WR21,Q(O (marking: 40WR21) |
N-Channel IGBT с диодом
N-Channel IGBT с диодом
1800V, 40A, 375W
Toshiba Semiconductor
TO-3P(N)
Есть в наличии
|
Купить
2500 т.
Товар в корзине
|
2SD1294 |
NPN
NPN
Toshiba Semiconductor
TO-3P(N)
Есть в наличии
|
Купить
0 т.
Товар в корзине
|