Каталог товаров > Активные компоненты > Транзисторы > Биполярные с изолированным затвором (IGBT)

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 6 позиций 
  Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
SGW20N60HS
P-TO-247-3-1
Infineon Technologies AG N-Channel IGBT
600V, 20A
Купить
2200 т.
Товар в корзине
IKW50N60T
P-TO-247-3-1
Infineon Technologies AG N-Channel IGBT с диодом 600V, 50A, 333W
Купить
1650 т.
Товар в корзине
IKW30N60T
P-TO-247-3-1
Infineon Technologies AG N-Channel IGBT с диодом
Тех. описание(PDF)
Купить
1000 т.
Товар в корзине
SGW30N60 <30T60> G30N60
P-TO-247-3-1
Infineon Technologies AG N-Channel IGBT
Купить
1250 т.
Товар в корзине
IKW30N60H3
P-TO-247-3-1
Infineon Technologies AG N-Channel IGBT с диодом
600V, 30A
Купить
1000 т.
Товар в корзине
SGW20N60
P-TO-247-3-1
Infineon Technologies AG N-Channel IGBT
600V, 20A
Купить
1100 т.
Товар в корзине