Каталог товаров > Активные компоненты > Транзисторы > Биполярные с изолированным затвором (IGBT)

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 4 позиций 
N-Channel IGBT
2-16F1A

GT35J327

N-Channel IGBT
Toshiba Semiconductor Toshiba Semiconductor
Нет в наличии
Купить
0 т.
Товар в корзине
N-Channel IGBT с диодом
2-16F1A

GT30J322

N-Channel IGBT с диодом
Toshiba Semiconductor Toshiba Semiconductor
Есть в наличии
Купить
1500 т.
Товар в корзине
N-Channel IGBT с диодом
2-16F1A

GT35J321

Тех. описание(PDF)
N-Channel IGBT с диодом
Toshiba Semiconductor Toshiba Semiconductor
Есть в наличии
Купить
1500 т.
Товар в корзине
N-Channel IGBT с диодом
2-16F1A

1MBK50D-060S

600V, 65A
N-Channel IGBT с диодом
Fuji Electric Fuji Electric
Есть в наличии
Купить
1200 т.
Товар в корзине