Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 11 позиций
Наименование | Корпус | Производитель | Классификация | PDF & Параметры | Цена |
---|---|---|---|---|---|
TO-220F LG-formed
|
N-канальный MOSFET с диодом | 250V, 20A, 30W |
Купить
850 т.
|
||
2SK1070
|
SOT89
|
N-Channel Junction FET |
Купить
1400 т.
|
||
DPAK
|
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected | 100V, 25A, 25mΩ |
Купить
т.
|
||
MP1484EN
|
SOIC8N
|
Купить
750 т.
|
|||
TO-3PFM.
|
N-Channel IGBT | 630V, ±30A, 50W |
Купить
т.
|
||
JRC4558
|
DIP8-300
|
Operational Amplifier |
Купить
250 т.
|
||
LM2596S-5.0 P+
|
TO263-5
|
Купить
450 т.
|
|||
TL494IN
|
DIP16
|
ШИМ-Контроллер |
Купить
350 т.
|
||
2SK1070PIDTL-E
|
SOT23
|
N-Channel Junction FET | Тех. описание(PDF) |
Купить
0 т.
|
|
TO–220FM
|
N-канальный MOSFET с диодом | 500V, 5A, 1,1Ω, 15ns, 15nC |
Купить
т.
|
||
LM2576T-12 P+
|
TO220-5-1
|
Купить
т.
|