|
|
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
всего найдено 16 позиций
Выпрямительные мосты
2W08M
Galaxy Semi-Conductor
Есть в наличии
N-Channel с диодом
H5N2517FN
N-канальный MOSFET с диодом
Renesas Technology
Есть в наличии
Супрессоры, TVS-диоды, защитные стабилитроны
1.5KE33СA
Galaxy Semi-Conductor
Есть в наличии
N-Channel (обработка)
2SK1070
N-Channel Junction FET
Renesas Technology
Есть в наличии
Диоды Шоттки
MBR840
40V, 8A
Schottky Barrier Rectifier / Шоттки
Galaxy Semi-Conductor
Есть в наличии
N-Channel с диодом
H7N1004DS
N-канальный MOSFET с диодом +Zener-protected
Renesas Technology
Нет в наличии
Диоды супербыстрые
BYM26D
Fast soft-recovery controlled avalanche rectifier
SUPER FAST RECTIFIER
Galaxy Semi-Conductor
Нет в наличии
Супрессоры, TVS-диоды, защитные стабилитроны
P6KE6.8A
Galaxy Semi-Conductor
Есть в наличии
N-Channel IGBT
RJP6065DPM
N-Channel IGBT
Renesas Technology
Нет в наличии
Диоды прочие
ERD09-15
FAST RECOVERY RECTIFIER
Galaxy Semi-Conductor
Есть в наличии
Диоды прочие
RG4C
HIGH EFFICIENCY RECTIFIER
Galaxy Semi-Conductor
Нет в наличии
Диоды Шоттки
SBL10100
Schottky
Galaxy Semi-Conductor
Нет в наличии
N-Channel (обработка)
2SK1070PIDTL-E
N-Channel Junction FET
Renesas Technology
Нет в наличии
N-Channel с диодом
H5N5001FM
500V, 5A, 1,1Ω, 15ns, 15nC
N-канальный MOSFET с диодом
Renesas Technology
Нет в наличии
PNP
2SA1661
PNP
Galaxy Semi-Conductor
Есть в наличии
Диоды Шоттки
MBRF10100CT
Schottky Barrier Diode
Galaxy Semi-Conductor
Есть в наличии
|