Каталог товаров > Активные компоненты
Корпус
Производитель
Структура
Параметры
TO-263-2L
HUAYI Microelectronics
Нет в наличии
TO-263-2L
TO-263-2L
FBM@
Нет в наличии
TO-263-2L
TO-263-2L
NCE Power Semiconductor
Нет в наличии
TO-263-2L
Wuxi NCE Power Semiconductor
Нет в наличии
всего найдено 7 позиций
N-Channel с диодом
TO-263-2L
HY4004B ◙
40V, 208A, 2,5mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
HUAYI MicroelectronicsN-Channel с диодом
TO-263-2L
FBMN-Channel с диодом
TO-263-2L
FBM85N80B
80V, 90A, 7,0mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
FBM@P-Channel с диодом
TO-263-2L
ON Semiconductor
N-Channel с диодом
TO-263-2L
NCE8295AD
82V, 95A, 8,0mΩ, 170W, 6800pF
N-канальный MOSFET с диодом
NCE Power SemiconductorN-Channel с диодом
TO-263-2L
NCEP15T14D
150V, 140A, 6,2mΩ, 340W, 5900pF
N-канальный MOSFET с диодом
Wuxi NCE Power Semiconductor