×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 6 позиций 
N-Channel с диодом
PG-TDSON-8

BSC028N06NS <028N06NS>

60V, 100A, 28mΩ, 43nC
Infineon Technologies AG Infineon Technologies AG
Нет в наличии
Товар в корзине
N-Channel с диодом
PG-TDSON-8

BSC252N10NSF G <252N10NS>

100V, 40A, 25,2mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG Infineon Technologies AG
Есть в наличии
Купить
800 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
PG-TDSON-8

BSC032N03SG

30V, 100A, 3,2mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG Infineon Technologies AG
Есть в наличии
Купить
650 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
PG-TDSON-8

BSC016N04LS <016N04LS> Δ

40V, 100A, 1,6mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG Infineon Technologies AG
Есть в наличии
Купить
600 т.
Товар в корзине
Dual N-Channel с диодом
PG-TDSON-8

BSC150N03LD G

30V, 20A, 15mΩ
Dual N-Channel с диодом
Infineon Technologies AG Infineon Technologies AG
Есть в наличии
Купить
600 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
PG-TDSON-8

BSC500N20NS3 G <500N20NS>

200V, 24A, 50mΩ, 96W,
N-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG Infineon Technologies AG
Нет в наличии
Товар в корзине