×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 8 позиций 
N-Channel с диодом
PG-TO263-3-2

IPB120N06S4-03 <4N0603>

60V, 120A, 2,8mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG Infineon Technologies AG
Нет в наличии
Купить
0 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
PG-TO263-3-2

IPB15N03L

30V, 42A, 12,6mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG Infineon Technologies AG
Есть в наличии
Купить
300 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
PG-TO263-3-2

SPB80N03S2L-05 <2N03L05>

30V, 80A, 5,2mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG Infineon Technologies AG
Нет в наличии
Купить
0 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
PG-TO263-3-2

IPB80N04S3-06 <3N0406>

40V, 80A, 5,4mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG Infineon Technologies AG
Есть в наличии
Купить
1200 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
PG-TO263-3-2

IPB120N06N G <120N06N>

60V, 75A, 11,7mΩ, 158W
N-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG Infineon Technologies AG
Нет в наличии
Купить
450 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
PG-TO263-3-2

SPB70N10L <70N10>

100V, 70A, 16mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG Infineon Technologies AG
Есть в наличии
Купить
700 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
PG-TO263-3-2

IPB108N15N3G

150V, 83A, 10,8mΩ
N-канальный MOSFET с диодом
Infineon Technologies AG Infineon Technologies AG
Есть в наличии
Купить
1100 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
PG-TO263-3-2

IPB04N03L <04N03L02> <4N03L02>

30V, 80A, 3,9mΩ
N-канальный MOSFET с диодом (Logic Level)
Infineon Technologies AG Infineon Technologies AG
Есть в наличии
Купить
650 т.
Товар в корзине