×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 21 позиций 
  Наименование Корпус Производитель Классификация PDF & Параметры Цена
SPW20N60CFD
PG-TO247
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом
650V, 20,7A, 0,22Ω
Купить
750 т.
Товар в корзине
SPW17N80C3 <17N80C3>
PG-TO247
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом
800V, 17A, 0,29Ω, 208W
Купить
1300 т.
Товар в корзине
SPW35N60C3 <35N60C3>
PG-TO247
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом
650V, 34,6A, 0,1Ω
Купить
2000 т.
Товар в корзине
SPW47N60C3 <47N60C3>
PG-TO247
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом
650V, 47A, 0,07Ω, 415W, 6800pF
Купить
3000 т.
Товар в корзине
SPW11N80C3
PG-TO247
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом
800V, 0,45Ω, 64nC
Купить
1200 т.
Товар в корзине
SD20N60
PG-TO247
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом
650V, 40A, 0,28Ω
Купить
1800 т.
Товар в корзине
SPW20N60C3 <20N60C3>
PG-TO247
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом
650V, 20,7A, 0,19Ω
Купить
1000 т.
Товар в корзине
IPW60R199CP <6R199P>
PG-TO247
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом
650V, 16A, 0,199Ω, 33nC
Купить
750 т.
Товар в корзине
IPW90R120C3 <9R120C>
PG-TO247
Infineon Technologies AG N-Channel с диодом
900V, 36A, 0,12Ω, 270nC
Товар в корзине
SPW17N80C3A <17N80C3A>
PG-TO247
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом 800V, 17A, 0,29Ω, 208W
Купить
1500 т.
Товар в корзине
IPW50R190CE <5R190CE>
PG-TO247
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом
Товар в корзине
SPW24N60C3 <24N60C3>
PG-TO247
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом
650V, 24,3A, 0,16Ω, 15ns
Купить
1000 т.
Товар в корзине
SPW15N65C3 <15N65C3>
PG-TO247
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом
Купить
500 т.
Товар в корзине
IPW50R199CP <5R199P>
PG-TO247
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом
550V, 0,199Ω, 34nC
Купить
1000 т.
Товар в корзине
SPW15N60C3 <15N60C3>
PG-TO247
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом
Купить
0 т.
Товар в корзине
IPW60R070C6 <6R070C6>
PG-TO247
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом
650V, 53A, 0,07Ω, 170nC
Купить
2200 т.
Товар в корзине
IPW65R048CFDA <65F6048A>
PG-TO247
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом 650V, 63,3A/40A, 0,048Ω,
Товар в корзине
SPW17N80C3 <17N80C3>
PG-TO247
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом 800V, 17A, 0,29Ω, 208W
Купить
0 т.
Товар в корзине
SPW32N50C3 <32N50C3>
PG-TO247
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом
560V, 32A, 0,11Ω
Купить
2100 т.
Товар в корзине
IPW65R041CFD <65F6041>
PG-TO247
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом 700V, 68,5A, 0,041Ω, 500W, 8400pF
Товар в корзине
IPW65R080CFDA <65F6080A>
PG-TO247
Infineon Technologies AG N-канальный MOSFET с диодом 650V, 43,3A, 0,08Ω, 391W
Товар в корзине