×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 7 позиций 
P-Channel с диодом
TO220AB

IRF9630

P-канальный MOSFET с диодом
Samsung Semiconductor Samsung Semiconductor
Есть в наличии
Купить
150 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO220AB

TCM80A

700V, 6A
N-канальный MOSFET с диодом
Samsung Semiconductor Samsung Semiconductor
Есть в наличии
Купить
1000 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO220AB

SSP4N70

700V, 4,0A, 3,5Ω, 125W
N-канальный MOSFET с диодом
Samsung Semiconductor Samsung Semiconductor
Есть в наличии
Купить
450 т.
Товар в корзине
N-Channel с диодом
TO220AB

SSP35N03-SM-C

30V, 35A, 0,021Ω, 75W
N-канальный MOSFET с диодом
Samsung Semiconductor Samsung Semiconductor
Есть в наличии
Купить
350 т.
Товар в корзине
P-Channel с диодом
TO252AA

IRFR9010

-50V, -5,3A, 0,50Ω
P-канальный MOSFET с диодом
Samsung Semiconductor Samsung Semiconductor
Нет в наличии
Купить
0 т.
Товар в корзине
P-Channel с диодом
TO220F

SFS9634

-250V, -3,4A, 1,3Ω
P-канальный MOSFET с диодом
Samsung Semiconductor Samsung Semiconductor
Есть в наличии
Купить
300 т.
Товар в корзине
P-Channel с диодом
TO220AB

SFP9634

-250V, -5A, 1,3Ω
P-канальный MOSFET с диодом
Samsung Semiconductor Samsung Semiconductor
Есть в наличии
Купить
300 т.
Товар в корзине