Каталог товаров > Активные компоненты > Транзисторы > Биполярные с изолированным затвором (IGBT)

×
Корпус
Производитель
Структура
Параметры

 всего найдено 6 позиций 
N-Channel IGBT
P-TO-247-3-1

SGW20N60HS

600V, 20A
N-Channel IGBT
Infineon Technologies AG Infineon Technologies AG
Есть в наличии
Купить
2200 т.
Товар в корзине
N-Channel IGBT с диодом
P-TO-247-3-1

IKW50N60T

600V, 50A, 333W
N-Channel IGBT с диодом
Infineon Technologies AG Infineon Technologies AG
Есть в наличии
Купить
1650 т.
Товар в корзине
N-Channel IGBT с диодом
P-TO-247-3-1

IKW30N60T

Тех. описание(PDF)
N-Channel IGBT с диодом
Infineon Technologies AG Infineon Technologies AG
Есть в наличии
Купить
1000 т.
Товар в корзине
N-Channel IGBT
P-TO-247-3-1

SGW30N60 <30T60> G30N60

N-Channel IGBT
Infineon Technologies AG Infineon Technologies AG
Есть в наличии
Купить
1250 т.
Товар в корзине
N-Channel IGBT с диодом
P-TO-247-3-1

IKW30N60H3

600V, 30A
N-Channel IGBT с диодом
Infineon Technologies AG Infineon Technologies AG
Есть в наличии
Купить
1000 т.
Товар в корзине
N-Channel IGBT
P-TO-247-3-1

SGW20N60

600V, 20A
N-Channel IGBT
Infineon Technologies AG Infineon Technologies AG
Есть в наличии
Купить
1100 т.
Товар в корзине